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防孤島保護(hù)-光伏防孤島保護(hù)裝置

我司防孤島保護(hù)有91系列、95系列、96系列等，防孤島保護(hù)裝置主要適用于110KV、66KV、35KV、10KV及低壓380V光伏電站的小電源并網(wǎng)供電系統(tǒng)，在發(fā)生孤島現(xiàn)象時,防孤島保護(hù)裝置可以快速切除并網(wǎng)點，使本站與電網(wǎng)側(cè)快速脫離，從而保證整個電站和相關(guān)維護(hù)人員的生命安全。

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產(chǎn)品介紹

產(chǎn)品特點

? 防孤島保護(hù)裝置的功能設(shè)定依據(jù)國家發(fā)布的分布式電源并網(wǎng)相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范，集成分布式電源并網(wǎng)所需的保護(hù)功能、測控功能、通信功能、事件記錄、保護(hù)功能壓板的投/退、定值修改及定值區(qū)的切換等功能，同時具備485通訊接口、以太網(wǎng)通訊接口等多種通訊接口，并支持Modbus-RTU規(guī)約、103規(guī)約。支持IRIG-B對時。

保護(hù)功能

? 光伏防孤島保護(hù)裝置的功能設(shè)定依據(jù)國家發(fā)布的分布式電源并網(wǎng)相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范，集成分布式電源并網(wǎng)所需的保護(hù)功能、測控功能、通信功能、事件記錄、保護(hù)功能壓板的投/退、定值修改及定值區(qū)的切換等功能，同時具備485通訊接口、以太網(wǎng)通訊接口等多種通訊接口，并支持Modbus-RTU規(guī)約、103規(guī)約。支持IRIG-B對時。頻率過高、頻率過低、過電壓、低電壓、頻率突變、逆功率、外部聯(lián)跳、系統(tǒng)失電、電流三段保護(hù)且?guī)Х较蜷]鎖（速斷、限時速斷、過電流）、零序過流、有壓自動合閘。
注：保護(hù)裝置功能可根據(jù)用戶需求定制。

parameter

技術(shù)參數(shù)

環(huán)境參數(shù)
正常工作溫度	-10 ～ 55℃
極限工作溫度	-20 ～ 60℃
貯存及運(yùn)輸	-30 ～ 70℃
大氣壓力	60 ～ 110 Kpa

額定電氣參數(shù)
頻率	50Hz
交流電流	5A或1A（額定電流IN）
交流電壓	100V或57.7V（額定電壓UN）
交直流工作電源	交流：AC85V~265V；50Hz±0.5Hz；諧波畸變率不大于15% 直流：DC85V~265V，紋波系數(shù)不大于5%
數(shù)字系統(tǒng)工作電壓	+5V、允許偏差：±0.15V
繼電器回路工作電壓	+24V、允許偏差：±2V
功耗
交流電壓回路	UN =220V，每相不大于0.5VA
交流電流回路	IN = 5A，每相不大于1VA、IN = 1A，每相不大于0.5VA、IN = 0.3A，每相不大于0.5VA
直流電源回路	正常工作時，不大于15W、保護(hù)動作時，不大于25W
防孤島保護(hù)回路過載能力
交流電壓回路	1.2倍額定電壓，連續(xù)工作
交流電流回	2倍額定電流，連續(xù)工作、10倍額定電源，允許10s、40倍額定電流，允許1s路
直流電源回路	80 ～ 115% 額定電壓，連續(xù)工作
裝置經(jīng)受上述的過載電流/電壓后，絕緣性能不下降

parameter

主要參數(shù)

定值精度
電流定值誤差	≤±5%
頻率定值誤差	≤±0.01Hz
激勵量≥1.2倍定值時，瞬時動作段動作時間	≤35ms
延時動作段動作時間離散誤差	≤30ms
各保護(hù)段返回時間	≤25ms
遙測量計量等級
電流、電壓	0.2級
頻率	±0.01Hz
其他	0.5級
遙信量分辨率	小于1ms
工作電壓	DC220V/DC24V；（DC220V訂貨需注明，默認(rèn)是DC24V/DC12V）
輸入方式	有源接點或無源接點；（默認(rèn)是無源接點）
開關(guān)量輸出
輸出形式	無源接點
沖擊過流能力	6A@3s；15A@0.5s；30A@0.2s
動作時間	<8ms
返回時間	<5ms
延時動作段動作時間離散誤差	≤30ms
電磁兼容
靜電放電	符合GB/T14598.14-1998 3級
輻射電磁場干擾	符合GB/T14598.9-2002 3級
快速瞬變干擾	符合GB/T14598.10-2007 B級
1MHz脈沖群干擾	符合 GB/T14598.13-2008 3級
浪涌抗擾度	符合GB/T14598.18-2001 3級
光伏防孤島保護(hù)裝置絕緣試驗
防孤島保護(hù)裝置絕緣耐壓、耐濕熱、抗振動、抗沖擊、抗碰撞性能符合國際GB/T7261-2000的有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)（絕緣≥20MΩ）。

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